曲卓所知的RISc，本身就是基于开放标准的ISA规范。
允许任何组织和个人自由使用、修改或扩展指令集，无需支付授权费用。
这非常有利于架构和标准的推广和发展。
而真正赚钱的，是基于RISc架构发展出的SpARc、 mIpS和ARm之类的闭源授权和商业授权。
就像我们比较熟知的ARm，所有用它的企业都需要支付授权费和芯片版税。单靠这两项收入，只搞升级迭代就能赚的盆满钵满。
所以，曲卓压根就没打算靠RISc这片“地基”上赚钱。
但对于英国佬来，研发的主要投入由bt公司承担，自己只需要少量的投入，就可以共享成果。
怎么看，都是一门风险低，收益高的好生意。
关键是，主力资金虽然是bt出的，项目扛鼎人是戴英的骄傲莫里斯教授，具体研发也是在戴英完成的。
鉴于这两点，完全可以忽略一些不重要的细节，底气十足的向全世界宣布，这是属于戴英的成果！
人心不足蛇吞象，是具有普遍性的。
更何况是依靠抢劫全世界发家的英国溃
他们当然想要更多！
所以，曲卓“可以共享RISc架构、指令集”，后面又跟了一句“也许还包括通用端口、内存，还其它的附属技术。看具体情况”
重点是“看具体情况”。
白了就是：看你们的支持力度有多大了！
而“支持力度”，是相对老的。
同样是五十万，落在一个总投资一百万的项目里，绝对是大股东。
但扔在一个总投资一千万的项目里……就呵呵了。
所以，曲卓要在合理的基础上，最大程度的拉高总投资，甚至还硬塞了个太阳能和储能项目。
伦敦这破地方，一年里加一起有俩月的好儿就不错啦。余下的时间要么阴要么下雨。
搞太阳能？
跟扯淡有什么区别。
但结合能源危机的大背景，以科研和测试的名义搞，谁也不能不合理。
即便一年三百六十五里，连阴带晴一共才占了不到三分之一，也是有实践价值的。
起码对高耗能的科研机构来，确实是一种可行的，临时能源备用方案……
把支出抛开，只算大头儿的，整个项目理论上要投入多少钱呢？
抛开曲卓“买”一片，才四毛多点的不为人知不谈。
实验室条件制备工程芯片，一片三寸晶圆能切出十二片，良品率百分之七十。再加上设计、制版和流片，单片成本轻轻松松拉到一万七千美元以上。
搭建起一个算力单元，理论上只32片处理器就要五十五万美金。
再加上主板、内存、电源和其它附属Ic单元呢？
造价轻轻松松超过百万美元。
八个算力单元组成算力集群，还要加入微波和光纤及氟利昂水冷系统，单物料投入就破千万美元了。
再算太阳能电池……
眼下这年头单晶硅生长依赖柴可拉斯基法（cZ法），能耗超级高不提，成品率连百分之四十都没樱
一片一米乘一米的太阳能板，造价超过两万六千美元。市场价在两万敖三万美元左右。
曲卓自己搞的多晶硅太阳能板，“买”出一片一米乘一米的只要495，连五百都不到。
只要地方够大，先甩个五百一千片出来，轻轻松松把理论投入再拉高个一两千万美金。
再加上实验室常备设备呢？
一台基础款的3A透射电镜打底五十万美元。
半导体参数分析仪、网络分析仪、探针台、质谱仪、x射线衍射仪……再加上打造实验室环境……
就算英国佬往死里丧良心，至少要承认bE的硬件投入不下三千万美元。
按照第三季度的平均汇率算，相当于一千四百一十五万英镑。
如果在伦敦市中心买房，以六万英镑每套算，可以买两百四十套。
最新的劳斯莱斯银影II顶配版，连车带税含保险，落地一万两千英镑。
可以买一千一百八十辆……
就这么个投资规模，英国佬自己估摸吧，投入多少才有底气开口共享这共享那的……
很明显，这是一个有着难以抵御的巨大诱惑力，又让人极难做出决策的饵。
所以，八月27号上午开完讨论会，整整过了九都没有任何动静。
直到九月四日，碳化硅项目完成了扩散掺杂和电极蒸镀，准备开始封装初试。
氮化镓也完成了光刻图形化，准备开始干法刻蚀时，戴安娜的二姐夫费洛斯勋爵在实验室外等了三个多时，总算见到了曲卓。
干嘛？
据！伊丽莎白老太太在与女儿安妮公主闲聊时，听了来自东方的曲，在剑桥游学期间，为科学技术的发展做出了卓越贡献，继而生出了浓厚的兴趣。
仔细了解过曲的种种事迹，为表彰其无私豁达的品质与无与伦比的敬业精神，邀请他周六去白金汉宫做客，并共进晚餐。
曲卓知道窝子既然已经打好，就一定能钓到大鱼。
但没想到，咬钩的居然是……好大一条鱼！
非常淡定的接受了邀请，随即回到实验室继续忙碌。
九月五日下午，碳化硅芯片陶瓷管壳打金线绑定完成……
九月六日中午，使用cl?\/bcl?混合气体（比例3:1），RF功率150，腔压50mtorr，刻蚀深度300nm……干法刻蚀氮化镓成功。
九月七日上午，硅脂散热封装，引出高压测试线……至此，世界上第一组共五枚碳化硅材质肖特基二极管诞生。
没有庆祝……
团队每个人都知道时间紧迫，东方曲九月十五日就要返回东大，必须争分夺秒！
对肖恩二极管开始基础测试的同时，同样碳化硅材质，采用联合扩散法制作的pN逆变器，开始蒸镀电极。
另一组，正在给第一组最后一枚氮化镓微波检波二极管开始做玻璃气密封装……
七号下午，碳化硅芯片部分基础测定完成。
搭建双脉冲测试电路，测量导通电阻Rds(on)，导通大于100mΩ·cm2；
用100mhz示波器捕捉开关波形，开关速度＞100ns；
对栅极施加+15V偏压1时，阈值电压Vth漂移＜0.5V；
-55°c（干冰）至+125°c（油浴）循环10次，电阻漂移正常；
150°c下施加1000V监测漏电流五时正常，继续监测汁…
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