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第一六五九章 从低端数控系统开始研发

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第一六五九章 从低端数控系统开始研发

“数控系统的核心技术专利和装备,别人也不会卖给我们,我们必须自己开发和生产;一般技术专利和装备,花钱从别的公司购买,节省时间,这也是我们开发数控系统的基本原则。我活学活用,纸上谈兵,给大家想想办法?”

孙健笑着从随身携带的公文包内拿出记录本,早有准备,进入数控机床行业,首先要熟悉数控系统的书本知识。

“数控系统(cNc)根据功能、性能和应用场景的不同,可分为低端、中端和高端三类,它们的核心差异体现在硬件配置、软件功能、控制精度、扩展能力以及适用领域等方面。”

“低端数控系统适用型机床,用于简单的加工,比如二维切割或者基础的车削。硬件上只需要配置低性能的处理器,支持3轴以下。软件功能也比较基础,没有太多高级功能。”

“中端数控系统适用4-5轴机床,用于三维加工和多轴控制。硬件方面需要配置工业级的低端多核处理器,支持3轴联动或简单多轴同步。软件上要配置高级插补算法软件,刀具半径补偿、动态误差修正软件,支持cAm软件集成和图形化编程界面和简单的人机界面。”

“高端数控系统适用9轴及以上机床,用于高精度、高复杂度的加工。硬件方面需要配置高性能多核处理器和FpGA、dSp专用芯片,支持9轴以上,支持5轴联动及多通道同步加工。软件方面要配备纳米级精度补偿软件、自适应控制软件、高级五轴Rtcp、智能优化软件等,不久的将来还要支持物联网和远程数据分析。”

“数控系统的硬件部分包括控制单元、伺服驱动、电机、传感器、操作面板、通信模块和电源模块,软件部分包括操作系统、控制软件、编程软件、仿真软件、补偿算法、数据管理和网络功能。”

“控制单元就是一台高性能多核cpU;伺服驱动是一种控制系统,通过控制电机的转速、位置和力矩,实现对负载的精确控制,伺服驱动系统使用反馈机制来监测和调整输出,以实现精确的控制。”

“我们从低端数控系统开始研发,最后拥有具有自主知识产权的高端数控系统,打破发那科和西门子公司的技术垄断和封锁。”

“龚主任,全球最强的cpU生产厂家是哪几家?”

“董事长,据我所知,是英特尔、Amd和国智。”

龚林眼前一亮,顿时明白了。

“由于193nm波长的世界性光学难题近十年来没有办法被攻克,导致全球最先进的光刻机长期停留在90nm制程工艺,英特尔和Amd的新一代cpU也被迫停止开发,给了国智cpU追赶的良机;如今,国智GZ-cx4的综合性能已经同pentium 4和Athlon xp并驾齐驱,相当于高端数控系统的高性能多核cpU已经被解决了,国智半导体研究院研发成功伺服驱动只是时间问题,这样一来,数控系统硬件中控制单元和伺服驱动就没有技术瓶颈了。”

孙健面带微笑,侃侃而谈。

啪啪……

桂宁带头起身鼓掌,大家都站了起来,会议室响起热烈的掌声,困扰江重数控机床发展的数控系统真的能被孙董事长解决。

副所长张闻桥主持研发的cKx数控单柱移动立式铣车床,安装Sinumerik82d,这套西门子研发的中端数控系统,售价占到这台车床总成本的近一半。

要是新江重能够在18个月内,研制成功拥有自主知识产权的中端数控系统,江重的发展将会迎来新的春。

数控系统的核心是微机数控系统,国智半导体研究院在cUp、主板、硬盘、显卡、光驱等计算机硬件上的整体研发能力能在全球排在前三位。

众人不知道的是,国智cpU研究所经过近二年的研发,已经研发成功了比肩Intel第八代cpU的GZ-cx5,但需要65nm制程工艺的光刻机生产,避免刺激美国,也是密而不发。

前世,ASmL推出65nm制程工艺的浸没式光刻机后,Intel才推出第八代cpU、core 2 duo,Amd才推出比肩core 2 duo的Athlon x2(速龙x2)。

京城光刻机研究院光源研究所早于1999年7月就研制成功浸没式光刻系统技术,研制的ArF激光器发射的193nm光源通过纯净水的折射,得到了波长134nm的光源,解决了业界遇到的193nm波长的世界级难题,研发成功65nm制程工艺的浸没式光刻机试验机,避免刺激美国,密而不发,没有申请公司发明专利,等GcA EUV光刻机股份研制的EUV激光器研发成功后,再申请浸没式激光器的公司发明专利,赶在ASmL之前。

浸没式光刻机暂时不会申请公司发明专利。

134nm波长光源的激光器和浸没式光刻系统专利技术会在第一时间卖给GcA使用。

邓国辉和钱富强从1999年8月开始立项,bSEc投资1亿元,带领光刻机光源研究所,静下心来开始研发EUV激光器,先后投资了3.6亿元,还在研究之郑

2002年1月18日,由GcA和悟空使投资基金带头,分别出资5亿美元和2亿美元,加上INtEL、Ibm、tI、Amd、摩托罗拉、cymer、hp、台积电和三星等25家公司,共同出资50亿美元成立的GcA EUV光刻机股份有限责任公司研制的EUV激光器已经临近尾声。

由于重生者的缘故,65nm制程工艺的浸没式光刻机提前研制成功,EUV光刻机也会提前研制成功。

2002年8月,参加7月2日在布鲁塞尔举行的157nm微影技术的研讨会后,ASmL董事长兼总裁普拉多同台积电的林本坚博士合作,采用“浸润原理”,投入巨资,开始研制浸没式光刻机。

邓国辉院士在研讨会上支持林本坚博士提出的“浸润原理”,并表示京城光刻机研究院光源研究所正在研究“浸润原理”,这三年,邓国辉和钱富强等先后在《Science Advances》上,发表7篇研究浸没式光源系统和浸没式光刻机技术的科研论文,在光刻机行业引起轰动。

半导体专家预测,二年内,浸没式光刻机将被研制成功。

Intel对core 2 duo,Amd对Athlon x2的研制开始加速。

(本章完)

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